刘玉怀

作者: 时间:2022-04-23 点击数:

       

刘玉怀

教授、硕士研究生导师/博士研究生导师

电子邮箱:

ieyhliu@zzu.edu.cn

办公室:

电气与信息工程学院科技楼516

研究方向:

氮化物半导体材料与器件、光通信集成芯片、传感器

教育背景

1989/09-1993/07, 安徽师范大学物理系,物理教育专业,学士

1993/09-1996/06,中科院安徽光学精密机械研究所,光学专业,硕士

1996/09-1999.07,中科院安徽光学精密机械研究所,光学专业,博士

工作经历

Ø2022/05-至今,郑州大学电气与信息工程学院电子信息工程系,教授

Ø2011/07-2022/04,郑州大学信息工程学院电子信息工程系,教授

Ø2015/12-2016/11,日本名古屋大学未来材料与系统研究所,访问学者

Ø2007/07-2011/06,日本东北大学金属材料研究所,助理教授

Ø2003/04-2007/06,日本三重大学电气电子工学科,研究员

Ø2000/03-2003/03,日本德岛大学氮化物半导体研究所,研究员

Ø1999/07-2000/02,中科院半导体研究所,博士后

学术兼职

Ø2018/01-郑州大学产业技术研究院有限公司,研究员

Ø2016/12-2022/03,日本名古屋大学未来材料与系统研究所,客座教授

奖励与荣誉

Ø2024年,河南省事业单位定期奖励,个人记功

Ø2021,河南省高层次B类人才

Ø2021年,郑州市高层次人才地方级领军人才

Ø2017年,郑州大学国际化办学先进个人

Ø2017年,郑州大学高水平成果奖励

Ø2013年,河南省高校科技创新人才

Ø2013年,河南省教育厅学术技术带头人

科研项目

Ø(主持)国家自然科学基金面上项目(62174148),2022.01-2025.12

Ø(主持)国家自然科学基金面上项目61176008),2012.01-2015.12

Ø(参与)国家自然科学基金联合基金重点项目U1604263),2017.01-2020.12

Ø(主持)国家重点研发政府间重点专项任务2022YFE0112000),2022.09-2024.08

Ø主持国家重点研发政府间重点专项项目2016YFE0118400),2016.12-2019.11

Ø(主持)教育部留学回国人员科研启动基金项目([2013]693号),2013.01-2015.12

Ø(主持)河南省国际合作重点项目(231111520300),2023.01-2024.12

Ø(主持)宁波市“科技创新2025”重大专项任务(2019B10129),2019.04-2021.12

Ø(主持)河南省科技攻关国际合作项目(172102410062),2017.01-2018.12

Ø(主持)河南省高校科技创新人才支持计划项目(13HASTIT045),2013.01-2015.12

Ø(主持)河南省外专局高层次人才国际化培养项目(豫外专[2017] 27号),2018.08-2019.07

Ø(主持)河南省外专局高层次人才国际化培养项目(豫外专[2015] 15号),2015.12-2016.11

Ø主持日本科学技术振兴学会项目(23560356),2011.04-2012.03

Ø主持日本科技振兴机构区域振兴项目(科振地推第63-3号),2009.04-2010.03

Ø主持日本稻盛财团研究资助项目(2009-45),2009.04-2010.03

代表文章

[1] Naveed Ullah, *, Yuhuai Liu, *,Saeed Ur Rahmane ,Suliman khan ,Fang Wang, Design of a Compact Filter Integrated Wideband and Circularly Polarized Antenna Array for K-band Application, Measurement, 225(2024)113978.

[2] Aoxiang Zhang, Jiayi Yao, Yipu Qu, Fang Wang, Juin J. Liou, and Yuhuai Liu, "Study of ultraviolet light emitting diodes with InGaN quantum dots and lattice matched superlattice electron blocking layers," Optics Express, 32, 5261-5272 (2024).

[3] Zhongqiu Xing, Aoxiang Zhang, Yipu Qu, Fang Wang, Muhammad Nawaz Sharif, Juin J. Liou, Yuhuai Liu,,Increasing the hole energy by the p-type dual polarization for high internal quantum efficiency of 237nm-band deep ultraviolet light-emitting diodes, Opt. Eng. 63(2), 027103 (2024).

[4] Xien Sang, Yuan Xu, Mengshuang Yin, Fang Wang, Juin J. Liou & Yuhuai Liu, InGaN multiple quantum well based light-emitting diodes with indium composition gradient InGaN quantum barriers. Optoelectron. Lett. 20, 89–93 (2024).

[5] Hameed Ur Rehman, Naveed Ur Rahman, Inayatul Haq, Fang Wang*, Yuhuai Liu*, Developing Deep Ultraviolet Laser Diode: Design and Improvement of Al0.62Ga0.38N/Al0.68Ga0.32N Quantum Wells on AlN Substrates for 266 nm DUV Emission, Optics & Laser Technology, 175, 2024, 10828.

[6] Zhengqian Lu, Yuning Wang, Chuang Wang, Fang Wang, Ke Xu, Yuhuai Liu*; Cathodoluminescence studies of point defects in aluminum nitride. AIP Advances 1 March 2023; 13 (3): 035133.

[7] Qiang Li*, Mingdi Wang, Yunhe Bai, Qifan Zhang, Haoran Zhang, Zhenhuan Tian, Yanan Guo, Jingping Zhu, Yuhuai Liu*, Feng Yun*, Tao Wang*, Yue Hao*, Two-Inch Wafer-Scale Exfoliation of Hexagonal Boron Nitride Films Fabricated by RF-Sputtering. Advanced Functional Materials. 2022, 32, 2206094.

[8] Muhammad Nawaz Sharif*, Muhammad Usman, Mussaab Ibrahim Niass, Juin J Liou, Fang Wang* and Yuhuai Liu*, Compositionally graded AlGaN hole source layer for deep-ultraviolet nanowire light-emitting diode without electron blocking layer , Nanotechnology, 2022, 33 075205

[9] Xianchao Yang, Yuhuai Liu*, Xiaohong Sun, Xiaonan Yang, Jianquan Yao, "Strain- and Temperature-Sensing Characteristics of Fiber Ring Laser Sensor With Cascaded Fabry–Perot Interferometer and FBG," in IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, vol. 70, pp. 1-7, 2021, Art no. 9512407

[10] Sharif Muhammad Nawaz*, Mussaab Ibrahim Niass, Yifu Wang, Zhongqiu Xing, Fang Wang*, Yuhuai Liu*, Enhancement of the optoelectronic characteristics of deep ultraviolet nanowire laser diodes by induction of bulk polarization charge with graded AlN composition in AlxGa1-xN waveguide, Superlattices and Microstructures, Volume 145, 2020, 106643

[11] Yi-Fu Wang and Mussaab I. Niass and Fang Wang* and Yu-Huai Liu*, Reduction of Electron Leakage in a Deep Ultraviolet Nitride Laser Diode with a Double-Tapered Electron Blocking Layer, Chinese Physics Letters, 2019, 36(5) 057301.

[12] Mussaab I. Niass* and Muhammad Nawaz Sharif and Yifu Wang and Zhengqian Lu and Xue Chen and Yipu Qu and Zhongqiu Du and Fang Wang* and Yuhuai Liu*, A contrivance of 277 nm DUV LD with B0.313Ga0.687N/B0.40Ga0.60N QWs and AlxGa1–xN heterojunction grown on AlN substrate, Journal of Semiconductors, 2019, 40(12) 122802.

[13] Yongjin Wang*, Xin Wang, Bingcheng Zhu, Zheng Shi, Jialei Yuan, Xumin Gao, Yuhuai Liu*, Xiaojuan Sun, Dabing Li* & Hiroshi Amano*, Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent system, Light: Science & Applications 2018, 7(1)83.

[14] Yuantao Zhang, Takeshi Kimura, Kiattiwut Prasertusk, Takuya Iwabuchi, Suresh Kumar, Yuhuai Liu, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, "Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy", Thin Solid Film, 536 (2013)pp.512-515.

[15] Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Taka-aki Shimada, Masaki Hirata, Masaki Wakaba, Masashi Nakao, Shiyang Ji, and Takashi Matsuoka, "MOVPE Growth of InN: A Comparison between a Horizontal and a Vertical Reactor", phys. stat. sol. (c), 6 (2009) pp. S381-S384.

[16] Yuhuai Liu, Shinya Koide, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Atsushi Nakamura and Nobuyoshi Nambu, "Thermal analysis of GaN powder formation via reaction of gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes with ammonia", phys. stat. solid. (c), 5 (2008) pp.1522-1524.

[17] Yu -Huai Liu, Tomoaki Tanabe, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata, Mutsuhiro Tanaka and Yoshihiko Masa, "Growth of thick AlN layer by hydride vapor phase epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) pp. L505-L507.

[18] Yuhuai Liu, Akira Ishiga, Takashi Onishi, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata, and Mitsuhiro Tanaka, "High quality AlGaN/AlN superlattices grown on AlN/sapphire template by MOVPE", Inst. Phys. Conf. Ser. no.184 (2004) pp.247-250.

[19] Yuhuai Liu, Hongdong Li, Jinping Ao, YongBae Lee, Tao Wang, and Shiro Sakai, "Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes", J. Cryst. Growth, 268/1-2 (2004) pp.30-34.

[20] Tao Wang, Yuhuai Liu, YongBae Lee, Jinping Ao, Jie Bai, and Shiro Sakai, "1mW AlInGaN-based ultraviolet light-emitting diode with an emission wavelength of 348nm grown on sapphire substrate", Appl. Phys. Lett. 81, No.14 (2002) pp.2508-2509.

其他信息

国际会议任职

Ø2025年 IEEE电子器件与固体电路国际会议分会主席(中国,银川)

Ø2025年 中国国际第三代半导体论坛分会程序委员(中国,厦门)

Ø2024年 中国国际第三代半导体论坛分会程序委员(中国,苏州)

Ø2023年 中国国际第三代半导体论坛分会程序委员(中国,厦门)

Ø2022年 中国国际第三代半导体论坛分会程序委员(中国,苏州)

Ø2021年 中国国际第三代半导体论坛分会程序委员(中国,深圳)

Ø2020年 中国国际第三代半导体论坛分会程序委员(中国,深圳)

Ø2019年 中国国际第三代半导体论坛组委会副主任(中国,深圳)

Ø2019年 IEEE下一代电子学国际会议联合主席(中国,郑州)

Ø2018年 紫外材料与器件国际研讨会组委会联合主席(中国,昆明)

Ø2017年 紫外材料与器件国际研讨会副执行主席(日本,福冈)

Ø2016年 金刚石与碳纳米电子学国际会议程序委员(中国,西安)

Ø2011年 氮化物半导体单晶国际研讨会执行委员(日本,高野山)


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