电子邮箱:

ieyhliu[at]zzu.edu.cn（请将[at]换成@）

办公室:

科研楼516

研究方向:

氮化物半导体材料与器件、光通信集成芯片、传感器

教育背景

1989.09-1993.07, 安徽师范大学物理系，物理教育专业，学士

1993.09-1996.07，中科院安徽光学精密机械研究所，光学，硕士

1996.09-1999.07，中科院安徽光学精密机械研究所，光学，博士

工作经历

Ø    1999.07-2000.02，中科院半导体研究所，博士后

Ø    2000.03-2003.03，日本德岛大学氮化物半导体研究所，研究员

Ø    2003.04-2007.06，日本三重大学电气电子工学科，研究员

Ø    2007.07-2011.06，日本东北大学金属材料研究所，助理教授

Ø    2011.07-2022.01，郑州大学信息工程学院电子信息工程系，教授

Ø  2022.02-至今，郑州大学信息工程学院电子信息工程系，教授

Ø    (其中，2015.12-2016.11，日本名古屋大学未来材料与系统研究所，访问学者

Ø    2016.12-2022.03，日本名古屋大学未来材料与系统研究所，客座教授）

科研项目(主持)

Ø  国家重点研发计划项目子任务，化合物半导体同质集成光电子芯片(SQ2021YFE010807)，2022-2024

Ø  国家重点研发计划重点专项，基于氮化物半导体的高性能深紫外激光器的研究(2016YFE0118400)，2016-2019

Ø  国家自然科学基金面上项目，金刚石衬底上六方相氮化硼薄膜外延生长机理的研究(62174148)，2022-2025

Ø  国家自然科学基金面上项目，高铟组分铟镓氮生长机理研究(61176008)，2012-2015

Ø  教育部留学回国人员科研启动基金，面向红外波段应用的氮化物半导体生长机理研究(教外司留[2013]693)，2013-2015

Ø  河南省科技攻关国际合作项目，基于氮化物半导体的高速可见光通信光源的研制(172102410062)，2017-2018

Ø  河南省高校科技创新人才支持计划，高铟组分铟镓氮半导体材料加压生长的机理研究( 13HASTIT045)，2013-2015

Ø  河南省外专局高层次人才国际化培养，氮化物半导体深紫外材料与器件(豫外专[2017] 27号)，2018-2019

Ø  河南省外专局高层次人才国际化培养，氮化物半导体材料与器件(豫外专[2015] 15号)，2015-2016

Ø    宁波市“科技创新2025”重大专项，氮化镓紫外发光二极管关键技术研究及产业化(2019B10129)子任务，2019-2021

代表文章

[1] Muhammad   Nawaz Sharif*, Muhammad Usman, Mussaab Ibrahiam Niass, Juin J. Liou, Fang   Wang* and Yuhuai Liu*,  Compositionally graded AlGaN hole source layer   for deep-ultraviolet nanowire light-emitting diode without electron blocking   layer, Nanotechnology, 2022, 33 075205 DOI:10.1088/1361-6528/ac218b

[2]  Sharif   Muhammad Nawaz*, Mussaab Ibrahim Niass, Yifu Wang, Zhongqiu Xing, Fang Wang*,   Yuhuai Liu*, The Effects of AlGaN Quantum Barriers on Carriers Flow in Deep   Ultraviolent Nanowire Laser Diode, Semiconductor Science and Technology,   36(2021)055017

[3] Zhengqian   Lu*，Fang Wang*，Yuhuai   Liu*，The first principle calculation   of improving p-type characteristics of BXAl1-xN, Scientific Reports, (2021)   11:12720

[4] Xianchao   Yang*, Yuhuai Liu*, Fang Wang, Ying Lu , and Jianquan Yao，Temperature   Self-Compensation Biosensor Based on LPG Concatenated With SNCS Structure，IEEE   Sensors Journal，21(1) (2021) 366-372.   Doi:10.1109/JSEN.2020.3014971.

[5] Xianchao   Yang, Yuhuai Liu*, Fang Wang, Ying Lu , and Jianquan Yao，SPR   sensor based on exposed core micro-structured optical fiber for salinity   detection with temperature self- compensation, Optical Materials Express,   2021,Volume 11, Issue 8, pp. 2468-2477

[6] X.   Yang, Y. Liu*, X. Sun, X. Yang and J. Yao, "Strain- and   Temperature-Sensing Characteristics of Fiber Ring Laser Sensor With Cascaded   Fabry–Perot Interferometer and FBG," in IEEE Transactions on   Instrumentation and Measurement, vol. 70, pp. 1-7, 2021, Art no. 9512407,   doi: 10.1109/TIM.2021.3105266.

[7]Sharif   Muhammad Nawaz*, Mussaab Ibrahim Niass, Yifu Wang, Zhongqiu Xing, Fang Wang*,   Yuhuai Liu*, Enhancement of the Optoelectronic Characteristics of Deep   Ultraviolet Nanowire Laser Diodes by Induction of Bulk Polarization Charge   with Graded AlN Composition in AlxGa1-xN Waveguide, Superlattices and   Microstructures, 145 (2020) 106643.

[8]Zhong-Qiu   Xing, Yong-Jie Zhou, Yu-Huai Liu*, Fang Wang*, Reduction of Electron Leakage   of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Laser Diode Using an Inverse-Trapezoidal   Electron Blocking Layer, Chin. Phys. Lett. 37(2) (2020)027302.

[9] Yifu   Wang, Mussaab I N, Fang Wang*, Yuhuai Liu*, Improvement of radiative   recombination rate in deep ultraviolet laser diodes with step-like quantum   barrier and aluminum-content graded electron blocking layer[J]. Chinese   Physics B, 2020, 29(1): 017301-1～017301-5.

[10]Yi-Fu   Wang, Mussaab I. Niass, Fang Wang, Yu-Huai Liu*, "Reduction of Electron   Leakage in a Deep Ultraviolet Nitride Laser Diode with a Double-Tapered   Electron Blocking Layer", Chin. Phys. Lett.. 2019, 36 (5): 057301

[11] Mussaab   I. Niass, Junwei Zang, Zhengqian Lu, Zhongqiu Du, Xue Chen, Yipu Qu, Fang   Wang , Yuhuai Liu*, "Structure optimization of 266 nm   Al0.53GaN/Al0.75GaN SQW DUV-LD", Journal of Crystal Growth 506 (2019)   24–29.

[12]Wei   Cai, Jialei Yuan, Shuyu Ni, Zheng Shi, Weidong Zhou, Yuhuai Liu*, Yongjin   Wang*, and Hiroshi Amano*, "GaN-on-Si resonant-cavity light-emitting   diode incorporating top and bottom", Applied Physics Express 12, 032004   (2019).

[13]  Jialei   Yuan, Yan Jiang, Xumin Gao, Yongjin Wang*, Xiaojuan Sun, Dabing Li*, Yuhuai   Liu*, and Hiroshi Amano*, “286 nm monolithic multicomponent system”, Japanese   Journal of Applied Physics, 58, 010909 (2019).

[14]  Yongjin   Wang*, Xin Wang, Bingcheng Zhu, Zheng Shi, Jialei Yuan, Xumin Gao, Yuhuai   Liu*, Xiaojuan Sun, Dabing Li and Hiroshi Amano*, "Full-duplex light   communication with a monolithic multicomponent system", Light: Science   & Applications7 (2018)83.

[15] Yuhuai   Liu*, Takeshi Kimura,  Taka-aki Shimada,  Masaki Hirata,    Masaki Wakaba,  Masashi Nakao,  Shiyang Ji, and Takashi Matsuoka,   "MOVPE Growth of InN: A Comparison between a Horizontal and a Vertical   Reactor", phys. stat. sol. (c), 6(S2) (2009) pp. S381-S384.

[16] Yuhuai   Liu*, Shinya Koide, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Atsushi Nakamura and   Nobuyoshi Nambu, "Reaction route of GaN powder formation via sintering   gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes in ammonia", Jpn. J.   Appl. Phys., 46(12) (2007) pp.7693-7698.

[17] Yu   -Huai Liu*, Tomoaki Tanabe, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko   Shibata, Mutsuhiro Tanaka and Yoshihiko Masa, "Growth of thick AlN layer   by hydride vapor phase epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) pp.   L505-L507.

[18]Yuhuai   Liu*, Akira Ishiga, Takashi Onishi, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu,   Tomohiko Shibata, and Mitsuhiro Tanaka, "High quality AlGaN/AlN   superlattices grown on AlN/sapphire template by MOVPE", Inst. Phys.   Conf. Ser. no.184 (2004) pp.247-250.

[19]Yuhuai   Liu*, Hongdong Li, Jinping Ao, YongBae Lee, Tao Wang, and Shiro Sakai,   "Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of   AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes", J. Cryst. Growth,   268/1-2 (2004) pp.30-34

人才称号与国际会议任职

获河南省教育厅学术技术带头人(2013)、河南省高校科技创新人才(2013)、河南省高层次人才B类(2021)、郑州市第三批高层次人才地方级领军人才(2021)。担任2017年第二届紫外材料与器件国际研讨会(IWUMD2017)副执行主席、2018年第三届紫外材料与器件国际研讨会(IWUMD2018)组委会联合主席、2019年第八届IEEE下一代电子学国际会议联合主席(ISNE2019)、2019年第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019) 暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)组委会副主任、2020年第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020) 暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)程序委员、2021年第十八届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2021) 暨2021国际第三代半导体论坛(IFWS 2021)程序委员。