我院董林博士与中国科学院外籍院士、美国佐治亚理工学院王中林教授课题组在纳米压电-光电子学领域开展的合作研究，近期取得了一系列重要进展。今年，董林博士连续以第一作者和共同第一作者在重要国际学术期刊Advanced Materials（2011年影响因子为13.877）上发表三篇论文。

 在该领域，董林博士及其合作者首次制备了光纤同轴核壳结构NG-DSSC复合纳米能源，实现了微纳米尺度的机械能与光能同步收集，利用该方法制作直径500 um，长度2cm的复合纳米能源，可提供3.3 V×7.65 uA的电能输出，对于自驱动型纳米系统在生命科学、环境监测、国防技术及微机电器件等领域的应用具有重要意义（Optical Fiber-Based Core–Shell Coaxially Structured Hybrid Cells for Self-Powered Nanosystems, Adv Mater 2012, 24(25), 3356-3361）；研究了GaN纳米带输运性质的压电场调制作用与器件构型的关联，并首次实现了GaN单纳米带器件肖特基势垒高度的高可靠性调制，该效应对于生物植入体及MEMS器件的应力/应变与服役行为实时检测具有重要用途（Piezotronic Effect on the Transport Properties of GaN Nanobelts for Active Flexible Electronics, Adv Mater 2012, 24(26), 3532-3537.）；利用CdSe单纳米线器件首次研究了光激发与应力/应变对单纳米线光探测器的耦合作用，通过压电效应调控载流子行为并进而调控光探测器性能，为柔性光电器件的设计提供了新的控制因素和自由度，开拓了新型纳米光电子器件的新思路（Piezo-Phototronic Effect of CdSe Nanowires, Adv Mater 2012, 24(40), 5470–5475.）。

 压电光电子学器件利用压电半导体材料的压电效应、半导体特性与光激发特性的三相耦合，影响电子-空穴对的产生、输运、分离及复合过程，从而调控各类光电子器件性能。基于此原理先后出现了压电场效应三极管/二极管，以及压电调控的逻辑运算电路、发光二极管、气体传感器、忆阻器等一系列压电光电子学原型器件，为新型光电子器件的开发提供了全新的思路和方法，开辟了柔性纳米光电子器件研究的新领域。