个人概况 ：

姓 名：陈杰 性 别：男

籍 贯：甘肃天水 出生年月：1985年6月

最高学历：博士 从事专业：材料科学与工程

职 称：副教授、博导

E-mail：chenj113@zzu.edu.cn，Jack113.gg@163.com

通讯地址：河南省郑州市科学大道100号郑州大学

个人简历：

2022年1月-至今， 郑州大学，副教授

2017年6月-2021年12月，郑州大学，讲师

2013年9月-2017年6月， 西安交通大学，博士

2008年9月-2011年4月， 西北工业大学，硕士

2004年9月-2008年6月， 四川大学，学士  

研究领域：

（1）先进氧化物靶材的制备及性能表征；

（2）氧化物粉体的制备及应用研究；

（3）靶材溅射及其薄膜性能研究。

科研项目：

（1）“尖锋”行动（广西重大专项计划）：光伏用高迁移率氧化铟基靶材开发及应用示范，2025.10-2028.10，（子课题）主持；

（2）国家自然科学基金青年项目：基于铟镓锌氧化物靶材的物相调控机理及其溅射效应研究，2021.01-2023.12，主持；

（3）河南省自然科学基金面上项目：溅射靶材用氧化铟镓锌粉体的原位合成机理及烧结特性，2024.01-2025.12，主持；

（4）中国工程院战略研究与咨询重大项目：国家关键领域用先进靶材料发展战略研究， 2024.04-2025.09，骨干成员；

（5）郑州市协同创新重大专项课题：AMOLED用高纯ITO靶材技术研究，2021.01-2023.12，主持；

（6）河南省重点研发与推广专项（科技攻关）：铟镓锌氧化物（IGZO）靶材的气氛烧结及性能研究，2019.01-2020.12，主持；

（7）横向课题：高密度低电阻大尺寸ITO靶材研制，2019.10-2020.11主持；

（8）中国博士后科学基金面上项目：IGZO靶材的致密化机理研究，2018.10-2020.09，主持；

（9）郑州大学拔尖博士科研计划项目：先进氧化物靶材的制备及性能研究，2018.01-2019.12，主持；

（10）稀有金属特种材料国家重点实验室开放课题：ITO靶材微观组织与光电性质分析的研究，2017.01-2019.12，主持；

代表性论文：

[1] Chen J*, Du R, Liu S, Qi C, Sun B, Zhong R, He J. Evolution of microstructure of sputtered films deposited using different indium gallium zinc oxide targets upon annealing. Ceramics International, 2025, 51: 51447–51455. （二区）

[2] Wang S, Chen J*, Wang Y, Sun B, Huang S, Qi C, Ren F, He J. Densification behavior of Ga₂O₃-SnO₂ targets. Ceramics International, 2025, 51: 10670–10680. （通讯作者，二区）

[3] Qi C, Chen J*, Yue K, Sun B, Wang S, Yang F, Xing X, He J. Microstructural evolution and phase composition of In₂Ga₂ZnO₇ ceramic targets during sintering. Rare Metals, 2025, 44(2): 1363-1379. （通讯作者，一区）

[4] Song H, Chen J*, Sun B, Qi C, Huang S, Yue K, Wang S, He J. Precursor decomposition mechanism of In₂O₃ powder for oxide ceramic targets. Ceramics International, 2023, 49: 39342-39353. （通讯作者，一区）

[5] Huai Z, Chen J*, Qi C, Sun B, Liu S, Song H, He J. Sintering densification behavior of ZnO–SnO₂ binary ceramic targets. Journal of the American Ceramic Society, 2023, 106: 259-273. （通讯作者，二区）

[6] Teng X, Chen J*, Sun B, Liu M, Qi C, Song H, Xiong F, He J. Study on nucleation and growth of In₂O₃ powders for oxide ceramic targets. Journal of Alloys and Compounds, 2022, 921: 166130. （通讯作者，一区）

[7] Qi C, Chen J*, Sun B, Huai Z, Teng X, Liu S, He J. Effect of surface treatment on microstructure and chemical composition of indium tin oxide targets. Ceramics International, 2022, 48: 26911-26921. （通讯作者，一区）

[8] Liu S, Chen J*, Sun B, Huai Z, Xiong F, He J. Evolution of microstructure of IGZO ceramic target during magnetron sputtering. Ceramics International, 2022, 48: 7500-7511.（通讯作者，一区）

[9] Qi C, Chen J*, Sun B, Liu S, Liu M, Shu Y, He J. Microstructure and phase transformation of IGZO targets with different stoichiometry during sintering. Ceramics International, 2020, 46(8): 10568-77. （通讯作者，一区）

[10] Chen J, Zhong J, Luo W, Qi C, Sun B, Liu S, Liu B, Shu Y, He J. Study on powder preparation of IGZO target and its effect on sintering. Journal of Alloys and Compounds, 2019, 800:468-477. （二区）

代表性专利：

[1] 一种原位沉淀自分散氧化铟粉体的制备方法. 专利号：ZL202310528473.8.（第1）

[2] 一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法. 专利号：ZL202110146360.2.（第1）

[3] 相组成可控的氧化铟镓锌靶材及其制备方法. 专利号：ZL201910156692.1.（第1）

[4] 用于RPD薄膜的氧化钽掺杂氧化锡靶材的制备方法. 专利号：ZL202410243188.6.（第1）

[5] Method of preparing indium oxide spherical powder with controllable grain shape. Patent Number (美国): US11479475B2.（第1）

[6] 高透射率IGZO薄膜的制备方法. 专利号：ZL201910026546.7.（第1）

[7] 一种粒形可控的氧化铟球形粉体的制备方法. 专利号（日本）：JP7021795.（第1）

[8] 高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法. 专利号：ZL202211445828.9.（第1）

[9] 高致密细晶粒氧化锌掺杂氧化锡基陶瓷靶材及其制备方法. 专利号：ZL202110970900.9. （第1）

[10] 纳米氧化物粉体制备中用于形核沉淀的实验装置. 专利号：ZL202120312610.0.（第1）