1、研究目的
（1）分析GaN 纳米柱在 MOCVD 外延和脉冲生长模式（Pulsed Growth Mode）条件下的生长机制。
（2）分析纳米柱 Ga 元素周期性富集出现的原因。
2、GaN纳米柱在脉冲生长模式下的生长机制
图1
3、GaN 纳米柱的生长方式以及 Ga 液滴变化过程
图2
4、理论模型
5、理论分析与实验对照
纳米柱体积：
拟合参数：
图3
6、结论
（1）建立 GaN 纳米柱生长速率模型，推导出 GaN 纳米柱生长速率对纳米柱半径和沉积条件的依赖关系。
（2）通过分析纳米柱 Ga 元素周期性富集出现的原因，建立模型来描述纳米柱的动态生长过程。
