欧阳东训

 

姓   名：欧阳东训

 

性   别：男

 

所属部门：郑州大学

 

职   称：教授

 

学   历：博士

 

所学专业：凝聚态物理

 

电子邮件：ouyang@zzu.edu.cn

 

研究方向：纳米光电材料与器件物理

 

 

个人简介

 

●工作经历

 

2006至今  郑州大学物理工程学院材料物理实验室

 

2004-2005 法国里尔第一大学暨国家科研中心原子分子与激光物理实验室

 

●教育背景

 

1987-1995中国科学技术大学 本科、研究生毕业

 

1995-1997中科院固体物理所 博士生

 

1997-2003柏林工业大学 自然科学博士（Summa Cum Laude）

 

●学术成果

 

迄今，与合作者共同发表40多篇论文与会议文章

 

 

科研方向

 

●科研方向

 

(1)纳米线阵列的可控制备技术研究

 

纳米线阵列是生长于同一衬底上的单晶纳米线组成的有一定取向的阵列结构，常用于各种光电功能器件中，例如，作为电极材料接受光激发并作为载流子的纵向快速通道等。纳米线良好的单晶性质保证其光电性能优越于非单晶的各种纳米线形态的材料。我们研究氧化锌纳米线阵列体系的制备技术，通过开展生长机理和制作工艺研究，在调控制备大规模纳米线阵列的基础上，实现结构性质多样化、材料成分复合化、应用性能综合化的理想。

 

(2)纳米线阵列带超材料光栅的光学性质研究

 

纳米线大密度阵列是进行超材料研究试验的理想材料结构平台。我们制作出纳米线阵列的微带光栅结构，在纳米线本身材料结构和阵列结构参数方面做调节，研究光栅衍射及发光性质与性能，开展相关性质的应用开发。

 

(3)纳米线阵列的光电器件技术研究

 

如何把现有的纳米线阵列纳入光电器件中，实现有效的电极连接和光电功能性，涉及到各种材料与器件工艺的集成。我们研究纳米线阵列生长制备的技术工艺与电极材料制作工艺的兼容性，采用新型材料如石墨烯电极，构造新型高效电极连接方式，目标是电激发纳米线阵列光电器件，如发光、光放大和激光器件，以及可能的电光调制应用器件。

 

 

科研项目、获奖等情况

 

●科研项目

 

(1)参与：国家自然科学基金(面上项目；2012.01.01-2015.12.31)

 

 

撰写论文、专著、教材等

 

●发表学术论文

 

1.博士学位论文（Dr. rer. nat.）“Characterization of lasers based on self-organized In(Ga)As quantum dots”(下载地址：http://edocs.tu-berlin.de/diss/2003/ouyang_dongxun.htm)Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Germany, 2003.

 

2.Ultralong dephasing time in InGaAs quantum dots P. Borri, W. Langbein, S. Schneider, U. Woggon, R. L. Sellin, D. Ouyang, D. Bimberg Phys. Rev. Lett. 87, 157401 (2001).

 

3．Ultrafast carrier dynamics and dephasing in InAs quantum dot amplifiers emitting near 1.3μm-wavelength at room temperature P. Borri, S. Schneider, W. Langbein, U. Woggon, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, D. Ouyang, D. Bimberg Appl. Phys. Lett. 79, 2633 (2001).

 

4．Lateral-cavity spectral hole burning in quantum-dot lasers D. Ouyang, R. Heitz, N. N. Ledentsov, S. Bognár, R. L. Sellin, Ch. Ribbat, D. Bimberg Appl. Phys. Lett. 81 (9), 1546-1548 (2002)

 

5．Relaxation and dephasing of multiexcitons in semiconductor quantum dots P. Borri, W. Langbein, S. Schneider, U. Woggon, R. L. Sellin, D. Ouyang, D. Bimberg Phys. Rev. Lett. 89, 187401 (2002).

 

6．Exciton relaxation and dephasing in quantum-dot amplifiers from room to cryogenic temperature P. Borri, W. Langbein, S. Schneider, U. Woggon, R. L. Sellin, D. Ouyang, D. Bimberg IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 984-991 (2002).

 

7. Unique Properties of Quantum Dot Lasers N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, D. Ouyang, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. V. Kryzhanovskaya, I. N. Kaiander, R. Sellin and D. Bimberg in IEEE-NANO 2003 Technical Program, WK: Nano-optics, Nano-optoelectronics and Nanophotonics II. (Invited)

 

8. Self-induced transparency in InGaAs quantum-dot waveguides S. Schneider, P. Borri, W. Langbein, U. Woggon, J. Förstner, A. Knorr, R. L. Sellin, D. Ouyang, and D. Bimberg  Appl. Phys. Lett. 83 (18), 3668 (2003)

 

9. Antiphase dynamics of semiconductor quantum dot lasers D. Ouyang, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, E. A. Viktorov, and P. Mandel in Workshop DYNAMICS OF SEMICONDUCTOR LASERS Weierstrass Institute for Applied Analysis and Stochastics (WIAS), Berlin, September 15-17, 2003 (http://www.wias-berlin.de/workshops/DSL2003/teilnehmer.html)

 

10．High performance narrow stripe quantum-dot lasers with etched waveguide D. Ouyang, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin and V. M. Ustinov Semicond. Sci. Technol. 18, L53-L54, December 2003

 

11．Long-wavelength (1.3 to 1.5 μm) Quantum Dot Lasers Based on GaAs A. R. Kovsh, N. N. Ledentsov, A. E. Zhukov, D. A. Livshits, N. A. Maleev, M. V. Maximov, V. M. Ustinov, J. S. Wang, J. Y. Chi, D. Ouyang, D. Bimberg, and J. A. Lott in Photonics West, Optoelectronics 2004, San Jose, California, USA, Jan. 24-29, 2004. (invited paper) Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5349, 31 (2004).

 

12. Impact of the Mesa Etching Profiles on the Spectral Hole Burning Effects in Quantum-Dot Lasers D. Ouyang, N. N. Ledentsov, S. Bognár, F. Hopfer, R. L. Sellin, I. N. Kaiander, and D. Bimberg Semicond. Sci. Technol. 19, L43-L47, May 2004

 

13. Transform-limited optical pulses from 18GHz monolithic modelocked quantum dot lasers operating at near 1.3μmM. G. Thompson, K. T. Tan, C. Marinelli, K. A. Williams, R. V. Penty, I. H. White, M. Kuntz, D. Ouyang, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. N. Ledentsov, D. J. Kang, and M. G. Blamire Electron. Lett. 40, 346-347 (2004).

 

14．Near-ideal InAs QDs on GaAs substrates for 1.3-1.5 μm laser applications N. N. Ledentsov, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. V. Kryzhanovskaya, I. N. Kaiander, D. Ouyang, R. Sellin, N. D. Zakharov, P. Werner, V. A. Shchukin, A. R. Kovsh, D. Bimberg Physica Scripta, T114, 37, 2004

 

15．Excited-state gain dynamics in InGaAs quantum-dot amplifiers S. Schneider, P. Borri, W. Langbein, U. Woggon, R. L. Sellin, D. Ouyang, D. Bimberg  IEEE Photon. Technol. Lett. 17 (10): 2014-2016 Oct 2005