职称：教授   最终学历：博士

一、个人经历：

1987 - 1992  中国科学技术大学物理系和材料科学与工程系本科

1992 - 1995  中国科学技术大学材料物理专业硕士

1995 - 1996  中国科学院固体物理研究所博士研究生

1997 - 2003  德国柏林工业大学固体物理研究所博士、助研

2004 - 2005  法国国家科研中心原子分子与激光物理实验室博士后

2006 - 2018  郑州大学物理工程学院校特聘教授

2019 - 2022  郑州大学物理学院（微电子学院）教授

2023 -  郑州大学物理学院、中原之光实验室教授

二、研究方向：（凝聚态物理；纳米技术；半导体量子点光电器件）

1. 研究氧化物纳米材料结构的反应生成、可控制备及复合高等级结构与器件的制作，利用纳米材料技术创造新型的超材料光学元件、阵列复合电极和纳米光电器件等。

2. 研究半导体量子点激光器的器件物理与光电性质，在器件参数、温度依赖、光腔模式和激射动力学等方面进行表征研究，挖掘量子点器件带来的更多新物理应用。

3. 研究石墨烯相关新材料的制备，综合应用催化、等离子体与低温生长技术，生成“石墨烯+”模式的复合材料，充分利用石墨烯本征优异特性，开拓石墨烯新材料、新器件和新应用。

4.研究微流技术、纳米纤维技术、静电直写技术、等离子体技术等特色技术路线在微纳米制造方面的应用，特别是与纳米材料技术结合的创新应用，开发相关反应、生长与制造装备。

三、主要业务成就及获奖情况：

在德国的科研工作中，主要研究半导体量子点激光器与放大器的器件物理与光电特性，共与合作者发表论文三十多篇，均为该领域的领先工作。曾获得柏林工业大学自然科学博士最高荣誉。除了合作的研究成果外，个人也有独立的科学发现，并具有开拓意义，比如量子点激光反射谱的横腔效应、动态特性，尤其是其中反相的非线性动力学特性，以及源于载流子层间分布的激光超长周期驰豫振荡等。

在郑州大学工作以来，致力于纳米技术的研究开发，建立相关技术平台，在氧化物纳米线阵列的调控生长、微条带的提拉制作、二氧化硅胶体晶体的逐层组装和石墨烯的电极应用等方面开展基础研究和技术研发工作，研发多种反应器用于纳米结构材料的生长制备。

四、代表性论文：

1.Thompson M. G.; Tan K. T.; Marinelli C.; Williams K. A.; Penty R. V.; White I.H.; Kuntz M.; Ouyang D.; Bimberg D.; Ustinov V. M.; Zhukov A. E.; Kovsh A. R.; Ledentsov N. N.; Kang D. -J. and Blamire M. G.Transform-limited optical pulses from 18 GHz monolithic modelocked quantum dot lasers operating at∼1.3μm Electronics Letters 40, 346(2004)

2. Ding Lihua; Liu Li-e; He Leiliang; Effah Clement Yaw; Yang Ruiying; Ouyang Dongxun; Jian Ningge; Liu Xia; Wu Yongjun; and Qu Lingbo Magnetic-Nanowaxberry-Based Simultaneous Detection of Exosome and Exosomal Proteins for the Intelligent Diagnosis of Cancer Analytical Chemistry 93, 15200(2021)

3. Ouyang D.; Ledentsov N. N.; Bimberg D.; Kovsh A. R.; Zhukov A. E.; Mikhrin S. S.; and Ustinov V. M. LETTER TO THE EDITOR: High performance narrow stripe quantum-dot lasers with etched waveguide Semiconductor Science and Technology 18,L53(2003)

4. Ouyang D.; Ledentsov N. N.; BognárS., Hopfer F.; Sellin R. L.; Kaiander I. N.; and Bimberg D. Impact of the mesa etching profiles on the spectral hole burning effects in quantum dot lasers Semiconductor Science and Technology19, L43(2004)

5. Schneider S.; Borri P.; Langbein W.; Woggon U.; Förstner J.; Knorr A.; Sellin R. L.; Ouyang D.; Bimberg D. Self-induced transparency in InGaAs quantum-dot waveguides Appl. Phys. Lett. 83, 3668 (2003)

6. Sellin R. L.; Kaiander I.; Ouyang D.; Kettler T.; Pohl U. W.; Bimberg D.; Zakharov N. D.; Werner P. Alternative-precursor metalorganic chemical vapor deposition of self-organized InGaAs/GaAs quantum dots and quantum-dot lasers Appl. Phys. Lett. 82, 841 (2003)

7. Borri P.; Langbein W.; Schneider S.; Woggon U.; Sellin R. L.; Ouyang D.; Bimberg D. Relaxation and Dephasing of Multiexcitons in Semiconductor Quantum Dots Phys. Rev. Lett. 89, 187401 (2002)

8. Ouyang D.; Heitz R.; Ledentsov N. N.; Bognár S.; Sellin R. L.; Ribbat Ch.; Bimberg D.Lateral-cavity spectral hole burning in quantum-dot lasers Appl. Phys. Lett. 81, 1546 (2002)

9. Borri P.; Ouyang D.; Sellin R. L.; Woggon U.; Schneider S.; Langbein W.; Bimberg D.Rabi oscillations in the excitonic ground-state transition of InGaAs quantum dots Phys. Rev. B 66, 081306 (2002)

10. Borri P.; Schneider S.; Langbein W.; Woggon U.; Zhukov A. E.; Ustinov V. M.; Ledentsov N. N.; Alferov Zh. I.; Ouyang D.; Bimberg D. Ultrafast carrier dynamics and dephasing in InAs quantum-dot amplifiers emitting near 1.3-μm-wavelength at room temperature Appl. Phys. Lett. 79, 2633 (2001)

11. Borri P.; Ouyang D.; Sellin R. L.; Woggon U.; Schneider S.; Langbein W.; Bimberg D.Ultralong Dephasing Time in InGaAs Quantum Dots Phys. Rev. Lett. 87, 157401 (2001)

五、合作联系方式：

欢迎来自企业一线的技术交流与合作，以及种子基金和创投公司对研发工作的支持。

电子邮件：ouyang@zzu.edu.cn