姓名：韩炎兵
Email：ybhan@zzu.edu.cn
所属部门：材料物理教育部重点实验室
办公地址：郑州大学南校区23号楼302室
欢迎对半导体及其电子器件感兴趣的学生报考，招收凝聚态物理、以及仪器仪表工程和电子信息等工科专业方向的研究生，有相关问题可以随时联系。
一、教育及工作经历
2023年3月–至今 郑州大学物理学院副教授
2019年7月– 2023年3月 郑州大学物理学院讲师
2014年9月– 2019年6月 复旦大学，材料科学系，理学博士（直博）
2016年8月– 2018年8月 美国国家可再生能源实验室，国家公派交换生
2010年9月– 2014年6月 郑州大学，材料科学与工程学院，工学学士
二、研究方向
1、硫族化合物薄膜材料高通量合成与表征
2、光电子器件
3、新型半导体及其应用
三、科研项目
1、国家自然科学基金青年项目，2022.01 – 2024.12，30万元，主持
2、中国博士后基金特别资助项目，2021.01 – 2022.12，18万元，主持
3、中国博士后基金面上项目，2021.01 – 2022.12，8万元，主持
4、河南省科技攻关项目，2023.01 – 2024.12，10万元，主持
5、河南省自然科学基金青年基金，2021.01 – 2022.12，5万元，主持
6、郑州大学拔尖博士，2019.11 – 2022.11，20万元，主持
四、科研成果
近五年，申请人在Chemical Reviews，Nano Research, Chemistry of Materials，The Journal of Physical Chemistry C等期刊上共发表学术论文20余篇，其中以第一作者或通讯作者发表的论文有12篇；申请国家发明专利5项，已授权3项；河南省科技成果奖1项。
五、代表性论文
1.Yurun Liang#, Yuewen Zhang#,YanbingHan*, Zhifeng Shi*, et al.Parametric study on controllable growth of SrZrS3thin films with good conductivity for photodetectors.Nano Researchvol. 16, 7867-7873, Feb 15. 2023.
2.Jie Xu, Yanbing Han*, Zhifeng Shi*, et al. Enhancing the optical absorption of chalcogenide perovskite BaZrS3by optimizing the synthesis and post-processing conditions.Journal of Solid State Chemistryvol.307, 122872, Jan 2. 2022.
3.Rachel Woods-Robinson#,Yanbing Han#, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson, and Andriy Zakutayev. Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors.Chemical Reviewsvol. 120, 4007-4055, Apr 6. 2020.
4.Yanbing Han, Jun Liu, Sage Bauers, Sebastian Siol, et al. Wurtzite materials in alloys of rock salt compounds.Journal of Materials Researchvol. 35, 972-980, Apr 1. 2020.
5.Yanbing Han, Sage Bauers, Qun Zhang, Andriy Zakutayev.High throughput fabrication and semi-automated characterization of oxide thin film transistors.Chinese Physics B,vol. 29, 018502, Jan 2020.
6.Xiaoni Wang, Zhaoyong Wang, Weimin Tian,Yanbing Han*, Ning Yao*. Optical properties of AlN films deposited by energy filtering magnetron sputtering technique.Applied Physics Expressvol. 13, Jan 9. 2020.
7.Yanbing Han,Ryan Trottier, Sebastian Siol, et al. Andriy Zakutayev. Templated growth of metastable polymorphs on amorphous substrates with seed layers.Physical Review Appliedvol.13, 014012, Jan 8. 2020.
8.Yanbing Han, Aaron M. Holder, Sebastian Siol, Stephan Lany, et al. Zinc-stabilized manganese telluride with wurtzite crystal structure.The Journal of Physical Chemistry Cvol.122, 18769-18775, Jul 23. 2018.
9.Yanbing Han, Bethany E. Matthews, Dennice M. Roberts, Kevin Talley, et al. Combinatorial nitrogen gradients in sputtered thin films.ACS Combinatorial Sciencevol. 20, 436-442, May 17. 2018.
10.Yanbing Han, Sebastian Siol, Qun Zhang, and Andriy Zakutayev. Optoelectronic properties of strontium and barium copper sulfides prepared by combinatorial sputtering.Chemistry of Materialsvol. 29, 8239-8248, Sep18. 2017.
11.Yanbing Han, Hai Yan, Yun-Chu Tsai, Yan Li, et al. Influences of nitrogen doping on the electrical characteristics of Indium-Zinc-Oxide thin film transistors.IEEE Transactions on Device and Materials Reliabilityvol. 16, 642-646, Oct 13. 2016.
12.Yanbing Han, Can Cui, Jianwen Yang, Ming-Yen Tsai, Ting-Chang Chang, and Qun Zhang. H2O induced hump phenomenon in capacitance–voltage measurements of a-IGZO thin-film transistors.IEEE Transactions on Device and Materials Reliabilityvol. 16, 20-24, Mar 16. 2016.
六、授权发明专利
1、韩炎兵，史志锋，毛子慧，刘伟杰，徐洁，一种BaZrS7薄膜及其制备方法和应用，授权公告号：CN 114873639 B，授权公告日：2023.06.23（已授权）
2、韩炎兵，史志锋，张跃文，梁雨润，徐洁，毛子慧，一种高迁移率p型SrHfS3薄膜及其制备方法，授权公告号：CN 115074667 B，授权公告日：2023.06.23（已授权）
3、张跃文，韩炎兵，毛子慧，朱英豪，徐洁，贾晓鹏，一种钙钛矿结构BaZrS3块体热电材料及其制备方法，授权公告号：CN 114804881 B，授权公告日：2023.01.24（已授权）
七、成果奖励
2023年河南省教育厅优秀科技论文一等奖
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