近日，实验室在偏振紫外光电探测研究方面取得重要进展，相关结果以郑州大学为第一单位发表于国际知名期刊《ACS Nano》(影响因子：15.881)上，(In Situ Fabrication of PdSe2/GaN Schottky Junction for Polarization-Sensitive Ultraviolet Photodetection with High Dichroic Ratio, ACS Nano, 2022, DOI:10.1021/acsnano.1c10181)。论文第一作者为吴翟副教授，香港理工大学曾龙辉研究员、苏州大学揭建胜教授和实验室单崇新教授为共同通讯作者。

近年来，偏振紫外探测在军事和民用领域均具有着及其重要的应用。目前传统偏振探测器通常需要额外偏振光学元件，会导致较高的成本和较大的器件体积，不利于器件微型化和集成化应用。在该项研究中，研究人员创新性地通过范德华生长法在GaN衬底上原位制备出具有偏振敏感特性的大面积二维PdSe2薄膜，构建了PdSe2/GaN混合维度范德华肖特基结器件，成功实现了高性能偏振紫外光电探测。该探测器具有自驱动工作特性，在零偏压下其响应度为249.9 mA/W，比探测率为7.9×1012Jones，偏振灵敏度高达4.5以及纳秒级的响应速度，其性能优于同类型的器件。得益于优异的探测性能，该器件展示了良好的偏振紫外成像和紫外光通讯能力。这项工作为设计构建新型高性能偏振紫外光电探测器提供了一种新的策略，并为其进一步应用奠定了基础。

该工作得到了国家自然科学基金和河南省优秀青年自然科学基金等项目的支持。

文章链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.1c10181