报告题目：Characterization of Semiconductors Combining by PL and DLTS Techaniques
    报 告 人：中国科学院半导体研究所 卢励吾研究员
    时    间：2015年7月6日周一上午9:30
    地    点：郑州大学南校区  物理科研楼三楼会议室

    报告内容简介：详细介绍深能级瞬态谱的测量原理和总结了相关的测量方法以及注意事项。重点介绍运用光致发光谱和深能级瞬态谱技术如何来表征半导体材料（薄膜，二维量子阱和零维量子点）和相关半导体器件的电学特性。

    报告人简历：卢励吾，中国科学院半导体研究所研究员，已退休。多年从事半导体材料和器件的电学特性和光学特性的研究，尤其是应用深能级瞬态谱，电流-电压，电容-电压以及热激电流谱技术来表征材料和器件中的杂质缺陷态。上世纪八十年代在比利时IMEC做访问学者，九十年代末在香港科技大学做访问学者。在国内外学术刊物上发表了七十多篇论文，申请并获授权五项发明专利。退休后在中国科学院福州物构所，北京大学物理学院返聘，带研究生和安装验收深能级瞬态谱设备。现被聘为河南大学物理学院，西安电子科技大学材料学院客座教授。编写了半导体检测与分析一书第六章深能级瞬态谱（科学出版社出版，2007年）。

    欢迎广大师生参加！                     

                                                             物理工程学院
                                                             2015年7月2日