姓名：钟英辉  职称：教授  最终学历：博士

电子邮箱：zhongyinghui@zzu.edu.cn

2019年河南省青年骨干教师、2020年河南省优秀青年科学基金获得者

1.个人经历：

钟英辉，2008年毕业于郑州大学物理工程学院，获工学学士学位。2013年毕业于西安电子科技大学微电子学院，获微电子学与固体电子学博士学位。2010年-2012年，中国科学院微电子研究所联合培养博士。2014年1月初聘郑州大学物理工程学院讲师。2014年8月，获得硕士研究生导师资格。2015年晋升郑州大学校聘副教授职称。2017年12月晋升郑州大学副教授职称。2018年获得博士研究生导师资格。2024年晋升郑州大学教授职称。

2.研究方向：

高频器件模拟仿真、器件工艺研发、等效模型建立、高频集成电路设计、宇航元器件空间辐照效应、宇航元器件抗辐照加固、宇航元器件辐射效应评估等。

3.主持纵向科研项目：

(1)国家自然科学基金面上项目，12275241，面向空间应用的InP基HEMT辐照损伤等效机理和特性等效模型研究，2023/01-2026/12，主持；

(2)国家自然科学基金面上项目，11775191，太赫兹InP基HEMT抗质子辐照加固方法和机理研究，2018/01-2021/12，主持；

(3)国家自然科学基金青年基金项目，61404115，InP基HEMT辐照效应研究，2015/01-2017/12，主持；

(4)河南省优秀青年自然科学基金项目，202300410379，空间极端温度和辐照对毫米波低噪声放大芯片的协同效应和加固研究，2020/01-2023/12，主持；

(5)河南省高等学校青年骨干教师培训计划项目，2019GGJS017，辐照诱生缺陷对InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱影响机制研究，2019/10-2022/09，主持；

(6)河南省重点研发与推广专项（科技攻关）项目，W波段抗辐照低噪声放大集成电路研制，2020/01-2021/12，主持；

(7)河南省人社厅博士后科研资助二等资助，2014006，太赫兹HEMT辐照效应研究，2015/01-2017/12，主持；

(8)郑州大学青年人才企业合作创新团队支持计划，太赫兹InP基HEMT空间辐射可靠性，2022/01-2024/12，主持；

(9)郑州大学教授团队助力企业创新驱动发展专项，面向空间应用的太赫兹InP基HEMT器件辐照损伤等效性评估，2023/01-2025/12，主持；

(10)郑州大学青年骨干教师培养计划，2018ZDGGJS020，InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照退化机理研究，2018/10-2021/09，主持；

(11)郑州大学优秀青年教师发展基金项目，1521317004，太赫兹InP基HEMTs抗质子辐照加固技术和机理研究，2016/01-2018/12，主持；

(12)郑州大学物理学科推进计划，InP基HEMT器件质子辐照诱生缺陷研究，2018/07-2021/06，主持；

(13)郑州大学青年教师启动项目，1411317026，超高频InP基HEMT及低噪声放大电路辐照效应研究，2014/09-2017/08，主持。

4.主持横向科研项目

(1)中国空间技术研究院横向委托，质子与蒙皮作用后能谱仿真，2023/11-2024/08，主持；

(2)中国空间技术研究院横向委托，化合物大功率半导体器件缺陷测试与仿真，2023/08-2025/01，主持；

(3)中国空间技术研究院横向委托，InP器件质子辐照数值模拟仿真及多能量辐照测试对比，2022/10-2024/02，主持；

(4)中国空间技术研究院横向委托，InP基器件样品制备及位移辐照测试，2021/11-2022/12，主持；

(5)中国科学院微电子研究所横向委托，InP基HEMT器件缺陷表征研究，2021/12-2022/03，主持；

(6)中国科学院微电子研究所横向委托，InP基HEMT器件数值仿真及可靠性研究，2019/06-2019/12，主持；

5.主持教学项目：

(1)河南省研究生教学质量工程精品在线课程项目.编号：YJS2022ZX07.半导体器件物理. 2022年01月-2023年12月.主持；

(2)郑州大学教育教学改革研究与实践项目.编号：2022ZZUJG186.“微纳器件制造和可靠性”虚拟仿真教学实验平台建设研究.2022年01月-2023年12月.主持.

(3)郑州大学教育教学改革研究与实践项目.编号：2019ZZUJGLX310.《半导体集成电路》理论、虚拟仿真和在线实践一体化教学模式研究. 2019年01月-2020年12月.主持.

(4)郑州大学研究生教改与质量提升工程及优质课程建设项目.编号：YJSXWKC201911.半导体器件物理核心学位课程建设. 2019年01月-2021年12月.主持.

(5)郑州大学虚拟仿真实验教学项目.编号：2020ZZUXNXM005.太赫兹InP基HEMT器件抗质子辐照加固虚拟仿真实验. 2021年01月-2023年12月.主持.

6.科研论文（第一/通讯作者）：

[1]Runkun Liu#, Bo, Mei#, Yongbo Su#, Feng Yang, Jialin Zhang, Chen Zhang, Huanqing Yun, Yi Sun, Haiming Zhang, Zhi Jin, Yinghui Zhong*.The effects and mechanisms of 2 MeV proton irradiation on high bias conditions of InP/InGaAs DHBTs.Solid-State Electronics, 2024, 212: 108832. SCIE.(通讯作者)

[2] Jialin Zhan#, Bo Mei#, Yongbo Su#, Feng Yang, Zhi Jin , and Yinghui Zhong*.Influence of BCB Protection on Irradiation Response of InP-Based HEMTs: A comparative Study.IEEE Transactions on Electron Devices,2023,70[8]:1-6.SCIE.（通讯作者）

[3]Chen Zhang#, Yongbo Su#, Bo Mei#, Feng Yang, Jialin Zhang, Huanqing Yun, Bo Liu, Yi Sun, Haiming Zhang, Zhi Jin, andYinghui Zhong*.Effect of proton irradiation on interfacial and electrical performance of N+Np+ InP/InGaAs hetero-junction,Current Applied Physics, 2023, 48: 47-52.SCIE.（通讯作者）

[4]Huanqing Yun#, Bo Mei#, Yongbo Su#, Feng Yang, Peng Ding, Jialin Zhang, Shenghao Meng, Chen Zhang, Yi Sun, Haiming Zhang, Jin Zhi, and Yinghui Zhong*.Equivalent small-signal model of InP-based HEMTs with accurate radiation effects characterization,Journal of Applied Physics, 2023, 133: 204503.SCIE.（通讯作者）

[5]Jianping Dong#, Yongbo Su#, Bo Mei#, Feng Yang, Xinlong Han, Zhi Jin and Yinghui Zhong*.Small-signal behavioral-level modeling of InP HBT based on SO-BP neural network,Solid-State Electronics, 2023, 209: 108784. SCIE.(通讯作者)

[6]Shuxiang Sun*, Yinghui Zhong*, Ruxian Yao, Haitao Wu. Effects of electron irradiation on analog and linearity performance of InP-based HEMT, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2023, 129: 776. SCIE.(通讯作者)

[7]Jialin Zhang#, Peng Ding#, Bo Mei#, Shenghao Meng, Chen Zhang, Liuhong Ma, Zhi Jin, Yi Sun, Haiming Zhang, and Yinghui Zhong^*.The effects and mechanisms of 2 MeV proton irradiation on InP-based high electron mobility transistors,Applied Physics Letters, 2022, 120: 103501.SCIE.（通讯作者）

[8]Xiangqian Zhao#, Bo Mei#, Peng Ding#, Jialin Zhang, Shenghao Meng, Chen Zhang, Liuhong Ma, Shuxiang Sun, Yinghui Zhong*, Zhi Jin.Thermal annealing behavior of InP-based HEMT damaged by proton irradiation,Solid-State Electronics, 2022, 193:108287.SCIE.（通讯作者）

[9]Shuxiang Sun*, Linshuang Liu, Haitao Wu, Ruxian Yao, Hongying Mei, Hua Wen, Yinghui Zhong*.Characterization of single event effect simulation in InP-based High Electron Mobility Transistors.Results in Physics, 2022, 36:105467.SCIE.（通讯作者）

[10]JiaJia Zhang; Peng Ding; YaNan Jin; ShengHao Meng; XiangQian Zhao; YanFei Hu; YingHui Zhong*;and Zhi Jin;A comparative study on radiation reliability ofcomposite channel InP high electron mobility transistors,Chinese Physics B, 2021, 30 (7): 070702. SCIE.（通讯作者）

[11]ShengHao Meng^#; ShuXiang Sun^#; Peng Ding^#; JiaJia Zhang; Bo Yang; ZhiChao Wei; YingHui Zhong*; Zhi Jin;Electron radiation impact on the Kink effect in S22 of InP-based high electron mobility transistors,Semiconductor science and technology, 2021, 36(9):095029. SCIE.（通讯作者）

[12]Shuxiang Sun*; Xiaolong Fu; Long Wang; Ming E; Junjie Yi; Ruxian Yao; Xinyan Zheng; Haitao Wu; Fang Liu; Yinghui Zhong*; Yuxiao Li; Peng Ding; Zhi Jin;Electron irradiation effects on InP-based HEMTs with different gate widths,Journal of Ovonic Research, 2021,17(5):411-420. SCIE.（通讯作者）

[13]Shuxiang Sun; Yinghui Zhong*; Hongying Mei; Ruxian Yao; Fujun Chen; Yuxiao Li; Yanfei Hu;The effect of High-K passivation layer on off-state breakdown voltage of AlGaAs/InGaAs HEMT,Journal of Ovonic Research,2021, 17(2):137-145. SCIE.（通讯作者）

[14]Shuxiang Sun; Yinghui Zhong*; Yanfei Hu; Ruxian Yao;Enhancement of Breakdown Characteristics of AlGaN|GaN HEMT with Back Barrier Plus High-k Passivation Layer,Semiconductors, 2021, 55(10):1265-1274. SCIE.（通讯作者）

[15]Bo Yang; Jiajia Zhang; Peng Ding; Shuxiang Sun; Yanan Jin; Xiangqian Zhao; Shenghao Meng; Yanfei Hu; Yinghui Zhong*; Zhi Jin;PKA distributions in InAlAs and InGaAs materials irradiated by protons with different energies,Nuclear Instruments & Methodsin Physics Research Section B- Beam Interactions with Materials and Atoms, 2020, 484:42-47. SCIE.（通讯作者）

[16]Shuxiang Sun; Hehe Liu; Bo Yang; Mingming Chang; Yinghui Zhong^*; Yuxiao Li; Peng Ding; Zhi Jin; Zhichao Wei;Effect of 1 MeV electron irradiation on gate contact characteristics of InP-based HEMTs,Materials Science in Semiconductor Processing, 2020, 114: 105084-5. SCIE.（通讯作者）

[17]Shuxiang Sun; Bo Yang; Yinghui Zhong^*; Yuxiao Li; Peng Ding; Zhi Jin; Zhichao Wei;Degradation mechanisms of InP-based high-electron-mobility transistors under 1 MeV electron irradiation,Journal of PhysicsD: Applied Physics, 2020, 53(17): 175107-6. SCIE.（通讯作者）

[18]Zhong Yinghui, Yang Bo, Chang Mingming, Ding Peng, Ma Liuhong, Li Mengke, Duan Zhiyong, Yang Jie*, Jin Zhi, Wei Zhichao.Enhancement of radiation hardness of InP-based HEMT with double Si-doped plane.Chinese Physics B, 2020,29(3): 038502.SCIE.

[19]Zhong Yinghui, Wang Wenbin, Yang Jie, Sun Shuxiang, Chang Mingming, Duan Zhiyong, Jin Zhi*, Ding Peng.An improved empirical nonlinear model for InP-based HEMTs.Solid State Electronics, 2020,164:107613.SCIE.

[20]Sun Shuxiang#, Ding Peng#, Jin Zhi, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Wei Zhichao.Effect of electron irradiationfluenceon InP-based high electron mobility transistors.Nanomaterials, 2019, 9(7): 967.SCIE.（通讯作者）

[21]Sun Shuxiang#, Chang Mingming#, Li Mengke, Ma Liuhong, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao.Effect of defects properties on InP-based high electron mobility transistors.Chinese Physics B, 2019,28(7): 078501.SCIE.（通讯作者）

[22]Sun Shuxiang#, Chang Mingming#, Zhang Chao, Cheng Chao, Li Yuxiao, Zhong Yinghui*, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao.Proton irradiation effect on InP-based high electron mobility transistor by numerical simulation with non-uniform induced acceptor-like defects.Physica Status Solidi- Rapid Research Letters, 2018,12(6):1800027.SCIE.（通讯作者）

[23]Zhong Yinghui*,Li Kaikai, Li Mengke, Wang Wenbin, Sun Shuxiang, Li Huilong, Ding Peng, Jin Zhi.An improved 16-element small-signal model for InP-based HEMTs.Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2018,37(2):171-175.SCIE.（通讯作者）

[24]Sun Shuxiang, Wei Zhichao, Xia Penghui, Wang Wenbin, Duan Zhiyong, Li Yuxiao, Zhong Yinghui*, Ding Peng, Jin Zhi.Effects of proton irradiation at different incident angles on InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs.Chinese Physics B, 2018,27(2): 028502.SCIE.（通讯作者）

[25]Sun Shuxiang, Ma Liuhong, Cheng Chao, Zhang Chao, Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi.Numerical simulation of the impact of surface traps on the performance of InP-based high electron mobility transistors.Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 2017, 214(10):1700322.SCIE.（通讯作者）

[26]Zhong Yinghui, Wang Wenbin, Sun Shuxiang, Ding Peng, Jin Zhi*.Long-time thermal stability comparison of alloyed and non-alloyed Ohmic contacts for InP-based HEMTs.Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 2017, 214(11): 1700411.SCIE.

[27]Zhong Yinghui, Sun Shuxiang, Wang Wenbin, Wang Haili, Liu Xiaoming, Duan Zhiyong, Ding Peng, Jin Zhi*.Two-step gate-recess process combining selective wet-etching and digital wet-etching for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs.Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 2017, 18(8): 1180-1185.

[28]王海丽,吉慧芳,孙树祥,丁芃,金智,魏志超,钟英辉*,李玉晓.InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理.西安电子科技大学学报, 2017, 44(4): 151-155.EI（通讯作者）

[29]Sun Shuxiang, Ji Huifang, Yao Huijuan, Li Sheng, Jin Zhi, Ding Peng, Zhong Yinghui*.Physical modeling of direct current and radio frequency characteristics for InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs.Chinese Physics B, 2016, 25(10): 108501.SCIE.（通讯作者）

[30]Zhong Yinghui, Zang Huaping, Sun Shuxiang, Wang Haili, Li Kaikai, Li Xinjian, Ding Peng, Jin Zhi*.Comparison of single-step and two-step EBL T-gates fabrication techniques for InP-Based HEMT.Chinese Journal of Electronics, 2016, 25(2): 199-202.SCIE.

[31]Zhong Yinghui, Zang Huaping, Wang Haili, Sun Shuxiang, Li Kaikai, Ding Peng, Jin Zhi*.T-gate fabrication of InP-Based HEMTs using PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A stacked resist.Chinese Journal of Electronics,2016, 25(3): 448-452.SCIE.

[32]Zhong Yinghui, Yang Jie, Li Xinjian, Ding Peng, Jin Zhi*.Impact of the silicon-nitride passivation film thickness on the characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs.Journal of the Korean Physical Society, 2015,66(6):1020-1024.SCIE.

[33]Zhong Yinghui, Li Kaikai, Li Xinjian, Jin Zhi*.A W-band high-gain and low-noise amplifier MMIC using InP-based HEMTs.Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015,34(6): 668-672.SCIE.

7.专利：

1)中国专利,钟英辉;李凯凯;陆泽营;王海丽;孙树祥;修复InP基HEMT器件质子辐照损伤的微波退火装置及方法,授权, 2018.02,ZL 201610103300.1.

2)中国专利,钟英辉;王文斌;孙树祥;王海丽;李凯凯;陆泽营;夏鹏辉;基于BCB钝化的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法,授权, 2019.12,ZL 201710261115.X.

3)中国专利,钟英辉;张佳佳;赵向前;靳雅楠;孟圣皓;一种基于复合沟道和双掺杂层的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法,授权, 2023.02, ZL 202010242492.7.

4)中国专利,钟英辉;张佳佳;靳雅楠;赵向前;孟圣皓;基于氮化铝/氮化硅堆叠结构和BCB桥的抗质子辐照InP基HEMT器件,授权,2023.08, ZL 20201024787.6.

5)中国软件著作权,钟英辉;张斌;段智勇;马刘红;李梦珂;太赫兹InP基HEMT器件抗质子辐照加固虚拟仿真实验软件1.0.原始取得,全部权利, 2020.10, 2021SR11066881.

6)中国软件著作权,钟英辉;刘博;张佳林;张辰;贠欢庆;HEMT器件跨导和阈值电压辐照退化提取及其图像快速绘制软件V1.0.原始取得,全部权利, 2021.02, 2022SR0199910.

7)中国软件著作权,钟英辉;赵向前;刘博;张佳林;柳润坤;HEMT器件饱和电流退火修复提取及其图像快速绘制软件V1.0.原始取得,全部权利, 2021.02, 2022SR0193287.

8)中国软件著作权,钟英辉;柳润坤;刘博;异质结IV特性计算辐照退化提取软件V1.0.原始取得,全部权利, 2022.11, 2022SR1512304.

9)中国软件著作权,钟英辉;张辰;刘博;HBT直流特性辐照退化提取及图像快速绘制软件V1.0.原始取得,全部权利, 2022.11, 2022SR1512303.

10)中国软件著作权,钟英辉;罗东升;方雨馨;基于Python的半导体表面缺陷形成能计算软件V1.0.原始取得,全部权利, 2023.11, 2023SR1419175.

8.荣誉及获奖：

(1)2020年河南省优秀青年科学基金获得者

(2)2019年河南省高等学校青年骨干教师

(3)河南省教育信息化优秀成果奖，一等奖（排名第一）

(4)2019年“华为杯”第二届中国研究生创“芯”大赛三等奖（第一指导教师）

(5)2022年第十七届中国研究生电子设计竞赛华中赛区二等奖（唯一指导教师）

(6)2022-2023学年郑州大学“三育人”先进个人

(7)2021-2022学年“郑州大学优秀班主任”称号

(8)2019届郑州大学优秀毕业论文指导教师

(9)2019年郑州大学创“芯”大赛一等奖（第一指导教师）

(10)2019年郑州大学创“芯”大赛三等奖（第一指导教师）

(11)2018年郑州大学青年骨干教师

(12)2016-2017、2017-2018两学年物理工程学院教学优秀奖

(13)郑州大学第九届“挑战杯”课外学术科技竞赛三等奖（第一指导教师）