姓名：张超 职称：讲师 最终学历：博士

电子邮箱：czemail@zzu.edu.cn

1、个人经历：

张超，2018年毕业于郑州大学物理工程学院，获电子科学与技术专业学士学位。2023年毕业于东南大学电子科学与工程学院，获微电子学与固体电子学专业博士学位。2024年4月至今在郑州大学物理学院工作。2024年9月，获得硕士研究生导师资格。

2、研究方向：

主要围绕半导体电子器件开展基础应用研究，包括：金刚石场效应晶体管、肖特基二极管和金属氧化物薄膜晶体管等。

3、主持项目：

（1）河南省自然科学基金青年项目，22100105，面向微系统的InGaZnO薄膜晶体管存储功能调控研究，2025年-2027年；

（2）横向项目，20240424A，氧化镓SBD器件开发，2024年-2026年；

4、科研论文：

1)B. F. Yang, C. Zhang, Z. H. Zhang, D. Wang, Z. X. Wu, Y. W. Tong,P. T. Lai, X. D. Huang, “An InGaZnO synaptic transistor using titanium-oxide traps at back channel for neuromorphic computing,”IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, 72(6): 2943-2948.

2)Y. H. Zhong, X. L. Han, H. Q. Yun, B. Mei, Y. B. Su, Z. Jin, C. Zhang*, “Radiation effects modeling of InP-based HEMT based on neural networks,”Microelectronics Journal, 2024, 153: 106414.

3)B.Jia, C.Zhang, M.Liu,Z. Li, J. Wang, L. Zhong, C. Y. Han, M. Qin, X. D. Huang,“Integration of microbattery with thin-film electronics for constructing an integrated and transparent microsystem based on InGaZnO,”Nature Communications, 2023,14: 5330.

4)C. Zhang, B. F. Yang, D. Wang, Z. Y. Zhou, C. Y. Han, L. X. Qian, P. T. Lai, X. D. Huang, “InGaZnO synaptic transistor using metal-hydroxyl traps at back channel for weight modulation,”IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(9): 4958-4962.

5)C. Zhang, D. Li, P. T. Lai, X. D. Huang, “An InGaZnO charge-trapping nonvolatile memorywith the same structure of a thin-film transistor,”IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(1): 32-35.

6)C. Zhang, D. Li, P. T. Lai, X. D. Huang, “Effects of back interface on performance ofdual-gate InGaZnO thin-film transistor with an unisolated top gate structure,”IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(8): 1176-1179.