由郑州大学研究生院、党委研究生工作部主办，材料科学与工程学院、河南省资源与材料产业协同创新中心承办的研究生“名师名家”讲坛，将邀请宁波工程学院材料所杨为佑教授、华南理工大学杨小宝教授为广大师生做学术报告。欢迎相关专业的老师和同学们积极参加！

报告一：

报告题目：SiC低维材料生长控制及其光电器件应用

报告人：杨为佑教授

报告时间：2019年6月19日（周三）9:00-11:00

报告地点：郑州大学主校区河南省资源与材料产业协同创新中心一楼报告厅

报告人简介：

杨为佑，宁波工程学院材料所教授，博士生导师，乌克兰工程院外籍院士，浙江省万人计划科技创新领军人才，“第三代半导体低维材料与器件”浙江省高校高水平创新团队负责人、“材料科学与工程”省一流学科带头人、享受国务院政府特殊津贴。入选宁波市领军与拔尖人才第一层次、浙江省新世纪151人才第一层次。

主要从事无机非金属半导体低维材料的可控合成、性能及其器件应用基础研究，先后主持承担973计划前期研究专项1项、国家自然科学基金5项、浙江省杰出青年科学基金1项等；迄今在Chem. Soc. Rev.、Prog. Mater. Sci.、J. Am. Chem. Soc.、Adv. Energy Mater.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater.等发表SCI 收录论文130余篇(SCI一区top期刊封面论文10篇)；申请发明专利70余项，已授权50项；应邀参与撰写国际专著2部。

报告简介：

二代半导体，面临的主要困难是无法胜任高温(>200℃)等苛刻服役条件。SiC是重要的第三代半导体代表性材料之一，与GaN并称为第三代半导体双雄，有望解决第一、二代半导体高温稳定性的瓶颈问题。本报告向大家介绍我们团队近年来在SiC低维材料领域开展的一点工作。围绕SiC场发射阴极材料研发，基于局域场增强效应和调控费米能级附近电子态密度等原理，采用有机前驱体热解工艺，实现了SiC低维材料生长及其掺杂的控制，达到了场发射性能的协同强化效果。围绕超级电容器的研发，采用电化学刻蚀工艺，实现了大面积高定向SiC纳米阵列的温和制备与结构调控，所构建的SiC超级电容器展现出良好的综合电化学性能。

报告二：

报告题目：纳米合金结构的搜索与建模

报告人：杨小宝教授

报告时间：2019年6月19日（周三）14:30-16:30

报告地点：郑州大学主校区河南省资源与材料产业协同创新中心一楼报告厅

报告人简介：

杨小宝，华南理工大学物理与光电学院教授，博士生导师，主要从事纳米材料的理论研究，在国际刊物J. Am. Chem. Soc.、Nanoscale, Nano Research、Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.等发表 SCI 论文 89篇（其中第一/通讯作者 48 篇），论文被同行引用 1732 次，单篇论文他人引用最高次数为 208 次，先后主持完成国家自然科学基金面上项目、省部级项目等10项，于 2013 年入选广东省高等学校优秀青年教师培养计划，2014 年获得广东省杰出青年基金，入选广东省特支计划。

报告简介：

主要讲述理论计算（包括第一原理方法、建立模型势、结构搜索等）在合金材料研究中的应用。重点关注特殊问题的结构搜索，比如金刚石量子点、合金结构、C60上的替换、硼平面结构中空位的分布等。采取蒙特卡洛树搜索方案，有效解决结构搜索问题，实现以性能为导向的材料设计，建立体系能量和性质与子结构的关系。对于碳族相关体系，确定了不同数目硼、氮原子在富勒烯体系上替换掺杂的稳定结构；对于石墨烯团簇，提出了有效描述体系电子性质的模型，实现了基于性能的结构搜索，并将该方法推广到其他相关体系。确定了不同尺寸下稳定的硼团簇结构，并讨论了在不同衬底下硼平面结构的演化，预测了一系列具有半导体特性的硼平面单层结构，为硼纳米结构研究提供新的思路，有可能使其成为媲美石墨烯的新型材料。

研究生院

党委研究生工作部

材料科学与工程学院

河南省资源与材料产业协同创新中心2019年6月17日